作为国内半导体设备与材料领域极具影响力的年度盛会，第十三届半导体设备与核心部件及材料展（CSEAC 2025）将于2025年9月4-6日在无锡太湖国际博览中心举办。
针对半导体制造对工艺控制的严苛要求，海洋光学将携高精度、微型化光谱解决方案参与本次展会，为半导体行业提供可靠的“工艺之眼”，实现对关键工艺的实时精准检测。诚邀您莅临A1馆 55号展台，与技术专家交流，探索光谱如何成为您制造过程中的“工艺之眼”。
刻蚀终点检测
基于高分辨率光谱仪实时监测等离子体发射光谱，通过被刻蚀材料或反应副产物特征峰强度的突变，精准判定刻蚀终点，避免过蚀与残存，提升关键工艺重复性与器件一致性。
O2谱线强度随刻蚀时间的变化曲线（以 CF4/O2 等离子体刻蚀 SiO2 为例）
过程监控
基于微型光谱仪实时采集等离子体发射光谱，通过特征峰谱线强度与光谱形貌的变化，实现对工艺参数的实时反馈，评估并控制工艺的关键状态（如薄膜厚度、沉积/腔体清洁速率、等离子体温度等）。
O:F率随时间变化的曲线（以CF4 + O2清洁为例）
膜厚测量
微型光谱仪基于白光干涉法测量薄膜的厚度，当光束照射薄膜时，会在薄膜-基底结构的上下表面发生反射，反射光波相互干涉，从而形成干涉光，产生随薄膜厚度变化的干涉光谱。通过对干涉光的检测，利用适当的数学模型即可计算得到薄膜的厚度。
薄膜的反射干涉光谱
重点产品
QE Pro系列 高灵敏度光谱仪
HR系列 高分辨率光谱仪